Noul cip de memorie de la Samsung DDR4 ce va aduce 4GB RAM pe un smartphone

Pregatiti-va pentru telefoane cu o memorie RAM cu capacitatea de 4GB. Luni, in Coreea, Samsung a anuntat ca dezvolta primul modul RAM LPDDR4. Acesta a fost construit folosind procesul de fabricatie de 20mm si ofera 1GB intr-un singur modul, cea mai mare densitate pe o componenta DRAM. Aditional, Samsung ofera un nivel inalt de performanta alaturi de un consum scazut de energie. Patri cipuri combinate ar putea oferi un pachet cu capacitatea de 4GB, insemnand telefoane cu memorie RAM de 4GB.

Modulul RAM LPDDR4 mobil va oferi viteze de rulare mai mari pentru aplicatii, rezolutii mai mari, o baterie cu durata de viata mai mare si alte optiuni pentru dispozitivele mobile. Noul modul de memorie foloseste interfata I/O Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL), viteza datelor transferate pe un pin va fi de 3200Mbps, o viteza dubla fata de modulele de 20nm ale memoriilor LPDDR3 dar si performanta ridicata cu pana 50% fata de cel mai rapid modul DDR3 la un voltaj de 1.1v, foloseste doar 40% din energie.

Noul cip va fi folosit pe produse de top si va fi gata sa ajunga la producatori in 2014.